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基于STM32F4单片机USART寄存器控制的设计

归档日期:05-21       文本归类:地址寄存器      文章编辑:爱尚语录

  ,塔提供了一种灵活的方法与工业使用标准NRZ异步春航数据格式的外部设备之间进行全双工数据交换。USART利用分数波特率发生器提供宽范围的波特率选择,支持同步单向通信和半双工单线通信,也支持LIN(局部互联网),智能卡协议和IrDA(数据组织)SIR ENDEC规范以及调制解调器(CTS/RTS)操作,它还允许多处理器通信,使用多换成器配置的

  可通过对 USART_CR1 寄存器中的 M 位进行编程来选择 8(置0) 位或 9(置1) 位的字长。TX 引脚在起始位工作期间处于低电平状态。在停止位工作期间处于高电平状态。

  空闲字符可理解为整个帧周期内电平均为“1”(停止位的电平也是“1”),该字符后是下一个数据帧的起始位。

  停止字符可理解为在一个帧周期内接收到的电平均为“0”。发送器在中断帧的末尾插入 1 或 2 个停止位(逻辑“1”位)以确认起始位。

  发送和接收由通用波特率发生器驱动,发送器和接收器的使能位分别置 1 时将生成相应的发送时钟和接收时钟。

  USART 发送期间,首先通过 TX 引脚移出数据的最低有效位。该模式下,USART_DR 寄存 器的缓冲区 (TDR) 位于内部总线和发送移位寄存器之间。

  每个字符前面都有一个起始位,其逻辑电平在一个位周期内为低电平。字符由可配置数量的停止位终止。

  USART 支持以下停止位:0.5(智能卡模式下接收数据使用)、1(默认)、1.(智能卡模式下发送与接收使用)5 和 2(正常USART模式,单线模式和调制解调器模式支持该值) 个停止位。

  注意:数据发送期间不应复位TE位。发送期间复位 TE 位会冻结波特率计数器,从而将损坏 TX 引 脚上的数据。当前传输的数据将会丢失。

  7.%20在%20USART_DR%20寄存器中写入要发送的数据(该操作将清零%20TXE%20位)。为每个要在单缓%20冲区模式下发送的数据重复这一步骤。

  8.%20向%20USART_DR%20寄存器写入最后一个数据后,等待至%20TC=1。这表明最后一个帧的传送已%20完成。禁止%20USART%20或进入暂停模式时需要此步骤,以避免损坏最后一次发送。

  ●%20USART_DR%20寄存器中可写入下一个数据,而不会覆盖前一个数据。

  发送时,要传入%20USART_DR%20寄存器的写指令中存有%20TDR%20寄存器中的数据,该数据将在当%20前发送结束时复制到移位寄存器中。

  未发送时,要传入%20USART_DR%20寄存器的写指令直接将数据置于移位寄存器中,数据发送开%20始时,TXE%20位立即置%201。

  向%20USART_DR%20寄存器中写入最后一个数据后,必须等待至%20TC=1,之后才可禁止%20USART%20或使微控制器进入低功率模式。

  注意:还可通过向%20TC%20位写入“0”将其清零。建议仅在多缓冲区通信时使用此清零序列。

  将 SBK 位置 1 将发送一个中断字符。中断帧的长度取决于 M 位。(见上图USART字符说明)

  如果 SBK 位置“1”,当前字符发送完成后,将在 TX 线路上发送一个中断字符。中断字符 发送完成时(发送中断字符的停止位期间),该位由硬件复位。USART 在上一个中断帧的 末尾插入一个逻辑“1”位,以确保识别下个帧的起始位。

  注意:如果软件在中断发送开始前对 SBK 位进行了复位,将不会发送中断字符。对于两个连续的中 断,应在上一个中断的停止位发送完成后将 SBK 位置 1。

  将 TE 位置 1 会驱动 USART 在第一个数据帧之前发送一个空闲帧。(见上图USART字符说明)

  无论设置为16 倍或 8 倍过采样时,起始位检测序列相同都以16倍过采样检测。

  注意:如果序列不完整,起始位检测将中止,接收器将返回空闲状态(无标志位置 1)等待下降沿。

  如果 3 个采样位均为 0(针对第 3 位、第 5 位和第 7 位进行首次采样时检测到这 3 位均为 0; 针对第 8 位、第 9 位和第 10 位进行第二次采样时检测到这 3 位均为 0),可确认起始位 (RXNE 标志位置 1,RXNEIE=1 时生成中断)。

  如果两次采样时(对第 3 位、第 5 位和第 7 位进行采样以及对第 8位、第 9 位和第 10 位进 行采样),3 个采样位中至少有 2 个为 0,则可验证起始位(RXNE 标志位置 1,RXNEIE=1 时生成中断)但 NE 噪声标志位置 1。如果不满足此条件,则启动检测中止,接收器返回空 闲状态(无标志位置 1)。

  如果其中一次采样时(对第 3 位、第 5 位和第 7 位进行采样或对第 8 位、第 9 位和第 10 位 进行采样),3 个采样位中有 2 个为 0,则可验证起始位但 NE 噪声标志位置 1。

  USART 接收期间,首先通过 RX 引脚移入数据的最低有效位。该模式下,USART_DR 寄存 器的缓冲区 (RDR) 位于内部总线和接收移位寄存器之间。

  4. 如果将进行多缓冲区通信,请选择 USART_CR3 中的 DMA 使能 (DMAR)。按照多缓冲 区通信中的解释说明配置 DMA 寄存器。步骤 3

  6. 将 RE 位 USART_CR1 置 1。这一操作将使能接收器开始搜索起始位。

  ● RXNE 位置 1。这表明移位寄存器的内容已传送到 RDR。也就是说,已接收到并可读取数据(以及其相应的错误标志)。

  ● 如果接收期间已检测到帧错误、噪声错误或上溢错误,错误标志位可置 1。

  ● 在多缓冲区模式下,每接收到一个字节后 RXNE 均置 1,然后通过 DMA 对数据寄存器执行读操作清零。

  ● 在单缓冲区模式下,通过软件对 USART_DR 寄存器执行读操作将 RXNE 位清零。RXNE标志也可以通过向该位写入零来清零。RXNE 位必须在结束接收下一个字符前清零,以避免发生上溢错误。

  注意:接收数据时,不应将 RE 位复位。如果接收期间禁止了 RE 位,则会中止接收当前字节。

  检测到空闲帧时,处理步骤与接收到数据的情况相同;如果 IDLEIE 位为 1,则会产生中断。

  如果在 RXNE 未复位时接收到字符,则会发生上溢错误。RXNE 位清零前,数据无法从移位 寄存器传送到 RDR 寄存器。

  每接收到一个字节后,RXNE 标志位都将置 1。当 RXNE 标志位是 1 时,如果在接收到下一 个数据或尚未处理上一个 DMA 请求时,则会发生上溢错误。发生上溢错误时: ● ORE 位置 1。

  ● RDR 中的内容不会丢失。对 USART_DR 执行读操作时可使用先前的数据。

  ● 如果 RXNE=1,则最后一个有效数据存储于接收寄存器 RDR 中并且可进行读取;

  ● 如果 RXNE=0,则表示最后一个有效数据已被读取,因此 RDR 中没有要读取的数据。接收到新(丢失)数据的同时已读取 RDR中的最后一个有效数据时,会发生该情况。读取序列期间(在 USART_SR 寄存器读访问与 USART_DR 读访问之间)接收到新数据时也会发生该情况。

  接收器采用不同的用户可配置过采样技术(除了同步模式下),可以从噪声中提取有效数据。

  可通过编程 USART_CR1 寄存器中的 OVER8 位来选择采样方法,且采样时钟可以是波特率 时钟的 16 倍或 8 倍。

  ● 选择 8 倍过采样 (OVER8=1) 以获得更高的速度(高达 fPCLK/8)。这种情况下接收器对时钟偏差的最大容差将会降低。

  ● 选择 16 倍过采样 (OVER8=0) 以增加接收器对时钟偏差的容差。这种情况下,最大速度限制为最高 fPCLK/16可通过编程 USART_CR3 寄存器中的 ONEBIT 位选择用于评估逻辑电平的方法。有两种选择:

  ● 在已接收位的中心进行三次采样,从而进行多数表决。这种情况下,如果用于多数表决的 3 次采样结果不相等,NF 位置 1。

  — 在噪声环境下工作时,请选择三次采样的多数表决法 (ONEBIT=0);在检测到噪声时请拒绝数据,因为这表示采样过程中产生了干扰。

  — 线路无噪声时请选择单次采样法 (ONEBIT=1) 以增加接收器对时钟偏差的容差。这种情况下NF 位始终不会置 1。

  ● 单字节通信时无中断产生。然而,在 RXNE 位产生中断时,该位出现上升沿。多缓冲区通信时,USART_CR3 寄存器中的 EIE 位置 1 时将发出中断。

  注意:智能卡、IrDA 和 LIN 模式下不可采用 8 倍过采样。在这些模式下,OVER8 位由硬件强制 清零。

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  CLR)输入设为低电平会使Q输出变为低电平而与时钟无关。 缓冲输出使能(OE )输入可用于将九个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 输出使能(OE)输入不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定...

  ABT16373A是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入端设置的电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16373A的特点是可在-55C至125C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16373A的特点是在-40C至85C的温度范围内工作。 ...

  SN74ALVCH16820的触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,器件在Q输出端提供真实数据。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将10个输出放入正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \输入不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑电平。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 数据输入端的总线保持消除了对外部上拉/下拉电阻的需求 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 2000-V人体模型(...

  ABT16374A是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗而设计负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出采用在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16374A的特点是可在-55C至125C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16374A的特点是在-40C至85C的温度范围内工作。 特性 ...

  AHCT16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对较低的电容而设计阻抗负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 SN54AHCT16374的特点是可在-55C至125C的整个军用温度范围内工作。 SN74AHCT16374的工作温度范围为-40C至85C。 特性 德州仪器WidebusTM家庭成员 EPICTM(...

  CY74FCT16374T和CY74FCT162374T是16位D型寄存器,设计用作高速,低功耗总线应用中的缓冲寄存器。通过连接输出使能(OE)和时钟(CLK)输入,这些器件可用作两个独立的8位寄存器或单个16位寄存器。流通式引脚排列和小型收缩包装有助于简化电路板布局。 使用Ioff为部分断电应用完全指定此设备。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 CY74FCT16374T非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。 CY74FCT162374T具有24 mA平衡输出驱动器,输出端带有限流电阻。这减少了对外部终端电阻的需求,并提供最小的下冲和减少的接地反弹。 CY74FCT162374T非常适合驱动传输线。 特性 Ioff支持部分省电模式操作 边沿速率控制电路用于显着改善的噪声特性 典型的输出偏斜

  这个12位至24位多路复用D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16260用于必须将两个独立数据路径复用到单个数据路径或从单个数据路径解复用的应用中。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线B \控制信号还允许在A到B方向上进行存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存,直到锁存使能输入返回高电平为止。 确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。

  这个16位边沿触发D型触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16374特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。它可以用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 OE \可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65至3.6 V 最大tpd为4.2 ns,3.3 V 24-mA输出驱动在3.3 V 数据输入...

  这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常状态逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65 V至3.6 V 最大tpd3.6 ns,3.3 V ...

  SN54ABT16260和SN74ABTH16260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于必须复用两条独立数据路径的应用中,或者从单个数据路径中解复用。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...

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  这些18位总线态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162823A器件可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN)\输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,从而锁存输出。将清零(CLR)\输入设为低电平会使Q输出变为低电平而与时钟无关。 缓冲输出使能(OE)\输入将9个输出置于正常逻辑状态(高电平)或低电平)或高阻抗状态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了驱动总线线路的能力,无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 输出设计为源电流或吸收电流高达12 mA,包括等效的25- 串联电阻,用于减少过冲和下冲。 这些器件完全符合热插拔规定使用Ioff和上电3状态的应用程序。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置...

  ABTH162260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于两个独立数据路径必须复用或复用的应用中。 ,单一数据路径。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。这些器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 B端口输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25系列电阻,以减少过冲和下冲。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过...

  这些20位透明D型锁存器具有同相三态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,相应的10位锁存器的Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(10E或2OE)输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。 输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。 这些器件完全适用于使用I的热插入应用关闭并启动3状态。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 为确保上电或断电期间的高阻态, OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据...

  ALVTH16821器件是20位总线 VVCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。 这些器件可用作两个10位触发器或一个20位触发器。 20位触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在D输入端设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将10个输出置于正常逻辑状态(高电平或低电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 SN54ALVTH16821的特点是可在-55C至125C的整个军用温度范围内工作。 SN74ALVTH16821的工作温度范围为-40&de...

  ALVTH16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,设计用于2.5V或3.3VVCC 操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p>

  当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ALVTH16374的特点是在-55C至125C的整个军用温度...

  在本系列视频的最后一节,我们将了解如何配置寄存器以及编程MAX32620FTHR平台,对连接到...

  这些18位触发器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ABTH16823可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN \)输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,锁存输出。将清零(CLR \)输入置为低电平会使Q输出变为低电平,与时钟无关。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...

  SNxAHCT16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 特性 德州仪器Widebus系列的成员 EPIC(增强型高性能注入CMOS)工艺 输入兼容TTL电压 分布式VCC和GND引脚最大限度地提高高速 开关噪声 流通式架构优化PCB布局 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护每个MIL-STD超过2000 V- 883, 方法3015;使用机器型号超过200 V(C = 200 pF,R = 0) 封装选项包括: 塑料收缩小外形(DL)封装薄收缩小外形(DGG)封装 薄超小外形(DGV)封装 80-mil精细间距陶瓷扁平(WD)封装 25密耳的中心间距 参数 与其它产品相比D 类锁存器 ...

  在系列视频的第2节,我们进一步了解如何设置Maxim的外设管理单元(PMU)。在设置PMU时,只需设...

  SystemInit函数开始先进行浮点运算单元设置,然后是复位PLLCFGR,CFGR寄存器,同时通...

  对于 8 位,24 位操作数寄存器来说,可以通过字节指令进行操作。用一个字节指令进行的乘法器操作,在...

  80C51单片机有位处理功能,可以对数据位进行操作,因此就有相应的位寻址方式。所谓位寻址,就是对内部...

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